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應用於邏輯和存儲晶片製造
腾博会官网上海的等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備可應用於SiO2, SiNx, Carbon，NDC薄膜沉積工藝， 未來可以擴展至單片式PEALD薄膜沉積工藝進行平台化擴展。
配置了具有自主知識產權的腔體設計和單腔體多加熱盤佈局
配置了特殊的氣體分配裝置和卡盤設計
針對薄膜疊層的變換可以给予更好的薄膜均勻性，更優的薄膜應力和更少的顆粒特性
兼顧高產能要求每個腔體都安裝有多個加熱盤
靈活配置腔體數量兼顧不同產能要求
自主開發的控制軟件能夠靈活配置滿足相應需求
獨特設計的真空機械手臂匹配腔體多加熱盤晶圓存取規則
工藝溫度兼容200C到650C的各種PECVD沉積薄膜要求
可適用於300mm晶圓各種薄膜沉積需求
該設備採用單腔體模塊化設計，有兩種配置：
一種是可配置一至三腔體模塊，適用於沉積比較薄的薄膜兼顧產能大小
一種是可配置四至五腔體模塊，適用於沉積比較厚的薄膜兼容長臂真空機械手臂
