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應用於化合物半導體製造
腾博会官网上海的該電鍍設備支持化合物半導體(SiC, GaN)和砷化鎵(GaAs) 晶圓級封裝。該系列設備還能將金（Au）鍍到背面深孔工藝中，具有更好的均勻性和台階覆蓋率。
兼容6吋以及8吋平台
水平式電鍍，無交叉污染
真空下正面噴淋式預濕腔體
第二陽極技術Flat 區域高度可控
模塊化設計
可配置2個Open Cassette
晶圓尺寸: 150mm, 159mm, 200mm
可配置預濕腔體、清洗腔體及電鍍腔體Cu,Ni, SnAg等
設備尺寸：1850x4150x2450 mm
Pillar/Solder: Cu+Ni+SnAg, TSV
工藝性能:
片內均勻性：<5% (3 sigma)
片間均勻性：< 3%
重複性：< 3%
兼容6吋以及8吋平台
水平式電鍍，無交叉污染
腔體氛圍氮氣保護
真空下正面噴淋式預濕腔體
第二陽極技術Flat 區域高度可控
模塊化設計
適用於Au 凸塊, Au薄膜, Au 深孔電鍍
良好的深孔台階覆蓋性能
可配置2個Open Cassette及1個真空手臂
晶圓尺寸: 150mm, 159mm, 200mm
可配置預濕腔體、清洗腔體及電鍍腔體Au
設備尺寸：1850x3850x2450 mm
Pillar/Solder: Cu+Ni+SnAg, TSV
工藝性能:
片內均勻性：<5% (3 sigma)
片間均勻性：< 3%
重複性: <3%
