單晶圓清洗設備

應用於先進集成電路製造，包括邏輯電路，存儲器以及功率器件製造

腾博会官网的Ultra C單晶圓清洗系列可廣泛應用於先進集成電路製造中多種前段工藝（FEOL）和後段工藝（BEOL）,可跟據不同應用配備不同化學藥液與輔助清洗方式，也可應用於晶圓製造、MEMS製造，以及功率器件製造領域。

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應用領域

• 沉積前清洗

• 蝕刻後清洗

• CMP後清洗

• RCA標準清洗

• W Loop後清洗

• Cu Loop後清洗

• 去除BEOL聚合物

• 深層Trench/Via清洗

• 薄膜去除

• TSV後清洗

• EPI前清洗

• ALD前清洗

可配8腔體，12腔體和18腔體，產能可達225片/小時,375片/小時和800片/小時

具有雙面清洗的能力，最多可配至5種清洗藥液，如：DHF, DSP+, f-DIW, FOM, SC1, SC2, DIO3, ST250, EKC580, NE111, IPA或配方藥液；集成式藥液供給模塊

最多可回收2種藥液，低COO

可選配常溫IPA或者高溫IPA增強型乾燥技術

可選配氮氣霧化DIW二流體清洗或氮氣霧化SC1二流體清洗來輔助去除顆粒雜質

可選配腾博会官网研發的SAPS兆聲波技術進行平坦表面或深孔結構中的濕法清洗

可選配腾博会官网研發的TEBO兆聲波技術對圖形片來進行高效無損傷清洗

設備尺寸：Ultra C II 2.35m x 5.53m x 2.85m, Ultra C V 2.35m x 6.7m x 2.85m, Ultra C VI 2.35m×6.30m×2.85m (寬×長×高)