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應用於晶圓級封裝
腾博会官网上海先進封裝電鍍設備可應用於多通道先進封裝的關鍵電鍍步驟，包括pillar, bump和 RDL。該電鍍設備也可運用於fan-out, TSV (Through Silicon Via)和TMV (Through Molding Via)工藝。
高速電鍍銅同時實現更好的均勻化控制
水平式電鍍腔體，無交叉污染
可單腔體維護，提高設備正常運行時間（up time）
Rubber Seal 技術, 更好的密封性能
第二陽極技術,更好地控制均一性
靈活的工序控制
兼容8寸和12寸
最多可配至3個Load Port
最多可配至4種預濕腔體，真空控制
最多可配至4 個清洗腔體
最多可配至20個電鍍腔體: Cu,Sn/Ag, Ni
設備尺寸: 2250 x 7100 x 2900 mm
工藝性能：
片內均一性: <5% (最大-最小/2 平均)
片間均一性＜3%
重複性: <3%
COP: < 10 µm
